반도체 18

반도체 메가 클러스터 - 배후 대도시

용인 산단 신청 ▷오늘 우연히 발견한 용인 반도체 메가 클러스터 관련 기사가 있어 이를 분석해 보고, 추후 생기게 될 배후 대도시 위치를 예상해 보도록 하겠습니다. 현재 해당 토지를 임장해 보면 논/밭이지만, 앞을 보는 사람에게는 아파트 단지가 보일 수도 있습니다. K반도체의 미래 … 용인 산단 승인 신청 [매일경제, 2024. 04. 21] 처인구 원삼면에선 여의도 면적에 육박(92.2%)하는 415만6000㎡(약 126만평)의 용인반도체클러스터 조성 공사가 진행 중이다. SK하이닉스는 내년 3월 이곳에 1기 팹(Fab)을 착공한다. 1차로 신축될 건축물 전체 면적은 367만㎡로 인천공항 1·2터미널을 합한 면적의 2배가 넘는다. 용인은 대한민국 반도체 신화를 열겠다는 계획으로 새로운 100년 먹거리를..

제2반도체고속도로, 반도체선, 왜 화성인가?

반도체고속도로 반도체 고속도로는 화성 양감~용인 남사·원삼~안성 일죽을 연결하는 약 45km 구간으로, 용인시의 비전인 ‘L자형 반도체 벨트’ 구축과 이동·남사 첨단시스템 반도체 국가산업단지 조성에 핵심 borntorich.tistory.com 경기도 철도기본계획 (2026~2035) 발표, 반도체선 반도체 철도 철도 기본계획 발표 경기도는 3월 19일 '경기도 철도기본계획(2026~2035)을 발표했습니다. '경기도 철도기본계획'은 고속철도, 일반철도, 광역철도 등 27개 노선과 도시철도 15개 노선 등 총 42개 노선 borntorich.tistory.com 제2반도체고속도로, 반도체선, 왜 화성인가? 반도체선 신설 경기도는 3월 19일 경기도 철도기본계획(2026~2035)을 발표했습니다. 발표 당..

경기도 철도기본계획 (2026~2035) 발표, 반도체선 반도체 철도

반도체고속도로 반도체 고속도로는 화성 양감~용인 남사·원삼~안성 일죽을 연결하는 약 45km 구간으로, 용인시의 비전인 ‘L자형 반도체 벨트’ 구축과 이동·남사 첨단시스템 반도체 국가산업단지 조성에 핵심 borntorich.tistory.com 경기도 철도기본계획 (2026~2035) 발표, 반도체선 반도체 철도 철도 기본계획 발표 경기도는 3월 19일 '경기도 철도기본계획(2026~2035)을 발표했습니다. '경기도 철도기본계획'은 고속철도, 일반철도, 광역철도 등 27개 노선과 도시철도 15개 노선 등 총 42개 노선 borntorich.tistory.com 제2반도체고속도로, 반도체선, 왜 화성인가? 반도체선 신설 경기도는 3월 19일 경기도 철도기본계획(2026~2035)을 발표했습니다. 발표 당..

e편한세상용인한숲시티 - 분양의 시작

e편한세상용인한숲시티 분양의 시작 e편한세상용인한숲시티 전체 단지 구성 (1) e편한세상용인한숲시티 전체 단지 구성 (2) e편한세상용인한숲시티 전체 단지 구성 (3) e편한세상용인한숲시티 학군, 교통 e편한세상용인한숲시티 주변 편의 시설 e편한세상용인한숲시티 2단지 경매 물건 (2023 타경 70055) 1. 분양의 역사 'e편한 세상 용인 한숲시티'는 경기도 용인시 처인구 일대에 21만 평 부지에 축구장(2천 평) 기준 약 10개 크기의 초대형단지로 2015년에 분양을 시작했다. 당시 1평(3.3㎡)당 평균 799만원이라는 저렴한 분양가를 내세워 분양을 했다. 44㎡가 1억 4000만 원대, 59㎡가 1억 9000만 원대, 84㎡는 평균 2억 7700만원 수준으로 동탄 2시 도시 전셋값 수준으로 용인..

반도체클러스터 - 은화삼지구 분양 정보 업데이트

3/22일 부동산 정보 - 부동산에서 은화삼지구 관련 분양 정보 업데이트입니다. - 부동산에서 들은 정보로 부정확할 수 있으므로 참고만 부탁 드립니다. 1. 1,700만원 대에 분양하려던 계획을 취소함 2. 1,900만원 대에 5월에 분양하는 것으로 계획 변경 1. 기본 정보 사업위치 : 경기도 용인시 처인구 남동 산 126-13번지 일대 사업면적 : 261,532㎡ 사업규모 : 은화삼지구 내 3개 블록(A1, A2, A3), 지하 4층~지상 28층, 30개 동 전용면적별 가구 수 △59㎡A 935 가구 △59㎡B 540가구 △84㎡A 1288가구 △84㎡B 725가구 △84㎡C 231가구 △130㎡A 5가구 등 건폐율 : A1블록 22.02% / A2블록 22.7% / A3블록 24.08% 용적률 : ..

HBM - 기반 기술 TSV

1. TSV 정의 TSV(Through Si Via, 실리콘 관통 전극)은 실리콘을 뚫어서 전도성 재료로 채운 전극을 의미한다. 일반적으로 칩을 적층 하기 위한 기술로 칩에 구멍을 뚫어서 전도성 재료인 금속 등으로 채우고 이렇게 만들어진 칩들을 수직으로 연결하면서 적층 하는 기술을 의미한다. 메모리 반도체 관점에서 메모리 반도체에 끊임없이 요구하는 특성은 고속, 고용량, 작은 크기를 만족시키면서 전력 소모는 최소화하는 것이다. TSV는 이러한 업계의 요구를 만족시켜 줄 수 있는 최적의 해결법이어서 메모리에서 TSV를 이용한 칩 적층 기술을 적극적으로 개발하고 제품화하고 있다. 2. TSV의 장점 TSV를 이용한 패키지의 큰 장점은 성능과 패키지 크기이다. 적층되는 칩의 개수가 많고 연결할 핀 수가 많을수..

HBM - HBM이란?

1. HBM이란? HBM(High Bandwidth Memory)은 2013년에 발표된 적층형 메모리 규격으로, 이름 그대로 넓은 대역폭을 지닌 메모리를 뜻한다. ‘대역폭’이란 주어진 시간 내에 데이터를 전송하는 속도나 처리량, 즉 데이터 운반 능력을 의미한다. HBM은 현재 메모리 시장에서 가장 넓은 대역폭을 지닌 메모리 반도체인데, 간단히 이야기하면 메모리 중 데이터를 가장 빠르게 처리하고 전송할 수 있다는 것이다. 기존의 GDDR 계열 SGRAM을 대체하고 보다 고대역폭의 메모리 성능을 달성하기 위해 제안되었으며, 2013년에 반도체 표준협회인 JEDEC에 의해 채택되었다. 메모리 다이를 적층하여 실리콘을 관통하는 통로(TSV)를 통해 주 프로세서와 통신을 한다는 것으로, 이를 위해서 직접 인쇄 회..

반도체 8대 공정

1. 웨이퍼 제조 우리가 주위에서 흔희 볼 수 있는 모래를 고순도로 정제하여 만든다. 모래를 뜨거운 열로 녹여 순도 높은 실리콘 용액을 굳히면 잉곳이라는 실리콘 기둥이 완성된다. 잉곳을 얇게 슬라이스하여 잘라내면 여러 장의 웨이퍼가 나오게 된다. 절단한 웨이퍼의 표면은 거칠지만, 세밀한 회로가 그려질 수 있도록 갈아내는 과정이 필요하다. 2. 산화공정 얇게 잘린 웨이퍼는 아직 전기가 통하지 않는 부도체 상태이기 때문에 반도체 성질을 가질 수 있도록 하는 작업이 필요하다. 그러기 위해서는 먼저 산화 공정을 진행한다. 웨이퍼 표면에 산소나 수증기를 뿌려줘 이런 산화막을 형성한다. 이 산화막은 반도체 제조 과정에서 웨이퍼 표면을 보호하고 앞으로 그려지게 될 회로와 회로 사이에 우선적 전류가 흐르는 것도 막아준..

NVIDIA - H100 기업별 구매량

1. H100 기업별 2023년 구매량 H100은 시장 최고의 AI 칩이며 성능 면에서 높은 평가를 받고 있다. H100은 불과 2년 전에 출시된 이전 세대의 A100에 비해, 최대 9배 더 빠른 AI 훈련과 최대 30배 더 빠른 AI 추론을 제공한다. H100 기반 서버의 리드 타임은 36~52주입니다. (Omdia는 최대 52주를 예상) 시장 추적 회사인 Omdia는 Meta 와 Microsoft 가 Nvidia H100 GPU의 최대 구매자라고 예상한다. 그들은 각각 150,000개의 H100 GPU를 구매했는데, 이는 Google, Amazon, Oracle 및 Tencent가 구매한 H100 프로세서 수 (각각 50,000개)보다 훨씬 많은 것이다. 2. 메타 2024년 H100 35만대 구입 ..

HBM - 예상 가격 및 삼성전자 SK하이닉스 예상 매출

1. NVIDIA H100 / HBM 구조 H100 GPU에는 Hopper Architecture가 적용됐다. 엔비 디아가 GPU에 적용하는 아키텍처는 수학자 또는 과학자의 이 름을 따라 Pascal ▶ Volta ▶ Ampere ▶ Hopper를 적용했다. 엔비디아가 설계한 H100는 양산 시 TSMC의 4나노미터 전공정 파운드리와 CoWoS 패키징 기술이 적용된다. CoWoS 패키징 기술은 Chip on Wafer on Substrate를 의미하며 비메모리(System on Chip)와 메모리 (High Bandwidth Memory)를 가까운 거리에서 나란히(side by side) 패키징하는 기술이다. 엔비디아의 H100 GPU은 6개의 HBM3 메모리를 탑재해 최대 96GB 메모리 용량을 지니고..